几周前JEDEC宣布了UFS3.1标准，针对高性能、低功耗移动应用提供一系列增强特性。昨日西数抢先发布全球首个UFS3.1闪存芯片iNAND EU521，瞄准5G智能手机，提供128GB和256GB两种容量。
根据西数的调研结果，UFS3.0以上规格才能实现5G时代所需数据吞吐量。UFS3.1标准在UFS3.0标准之上增加了写入加速（SLC Cache）、深度睡眠（增强节能）和性能限制通知（让CPU了解UFS闪存当前是否处于过热状态）三种新特性。
在UFS闪存芯片中使用模拟SLC缓存提升写入效能的方法已经得到广泛应用，UFS3.1实现了写入加速的标准化。iNAND EU512使用了西数与铠侠合作研发的96层BiCS4闪存，SLC Turbo缓存内的顺序写入速度为800MB/s。
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