在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后，SK海力士也终于跟上队伍了。
16Gb DDR4-3200内存芯片是当前行业内存储密度最高、速度最快的DRAM产品，预计明年开始大规模出货。
能效指标方面，SK海力士称1Znm相较于1Ynm，生产效率提升了27%；功耗与1Y nm 8Gb DRAM相比，下降了40%。
SK海力士透露，他们在1Znm世代导入了新研发的电容，还引入新设计，以提高稳定性。
按规划，1Z nm很快将应用于LPDDR5、HBM3等芯片上，成为更优质产品的代名词。
PS：
在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
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