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今天跟大家聊一聊：官宣研发1nm工艺！中国芯片巨头采购大量EUV光刻机，挑战摩尔定律极限。

人类科技的发展已经高度依赖于芯片了，要想朝更高的文明社会发展，就必须研发出更为高端的芯片，而芯片的制造工艺也是目前工业制造中最难的，起步的精度就是纳米级别的，因此没有借助精密的仪器的话，就算是入门级的芯片也没有办法制造，目前没有任何一个国家能够独立完成芯片的制造，就连科技发达的美国也不例外。

芯片的制造主要分为三个环节，分别为芯片的研发设计、芯片制造、芯片封装测试，目前在芯片的研发设计上华为拥有了最先进的5nm工艺，而最难的环节就在于芯片的制造上，在这个环节最为重要的就是EUV光刻机了，目前只有荷兰的ASML公司才能制造出来，在受到相关限制的影响下，由于ASML在制造光刻机的过程中，大量使用了美国的技术，我们获取最先进的光刻机也受到了很大的限制。

如今的芯片已经进入了5nm时代，因此各大芯片代工厂对于高端光刻机的需求也越来越大，高端的EUV光刻机数量，直接决定着芯片的产能，因此各大芯片代工厂，目前都在不遗余力的抢购光刻机。

中国芯片巨头大量采购EUV光刻机

就在近日中国芯片巨头台积电再次传来了好消息，为了全新的制程工艺提前做准备，目前已经在积极筹备大量的资金，提前预定了之后荷兰ASML很长一段时间的产能，届时台积电拥有最先进的EUV光刻机的数量将超过50台，占到全球总量的一半以上，这将直接拉开和三星的差距。

目前台积电已经拥有了成熟的5nm工艺，还在积极研发3nm以及2nm的工艺，也已经取得了重大成果，据悉全新的多桥通道场效电晶体架构（MBCFET）已经被台积电研发了出来，最终也将被率先用在最先进的2nm工艺上。

由于2nm的工艺以及无线接近于摩尔定律了，因此如果还采用之前的鳍式场效电晶体（FinFET）架构，反而会引起不好的连锁反应，会导致电流控制漏电等等物理极限问题。因此要想更好的解决这些问题，只能从架构上面去解决，采用最新研发的架构，能够有效的增强栅级对沟道的控制能力，漏电的问题将得到有效的结局。

台积电官宣研发1nm芯片！挑战摩尔定律极限。

台积电最近还传出了一个好消息，那就是他们已经展开对于1nm工艺的研发了，此前一直传言2nm工艺已经是硅基芯片的极限了，在全新的电晶体架构研发出来以后，可以直接己挑战摩尔定律的极限了，很好的解决了2nm之后的制程问题。

当然对于1nm的工艺，目前台积电也还在试验阶段，而且依靠目前ASML的光刻机，就连之后将要实现的3nm工艺的芯片都没有办法生产制造，更不用说再往下的工艺了，显然要想实现尖端的工艺，需要各大芯片企业的配合，是没有任何的国家能够独立完成的。

因此台积电作为ASML公司的大股东，自然也对他们生产的光刻机提出了更高要求，目前台积电已经有办法通过技术实现摩尔定理的延续，但如果没有能够达到这样精度的光刻机的话，那么一切也都是空谈，作为唯一有能力生产EUV光刻机的企业，也必须在这方面上下足功夫，进一步的提升光刻机的制造精度。

ASML公司也没有让人失望，目前已经联手IMEC公司，研发高NA EUV光刻机技术，这是下一代高分辨率EUV光刻机的技术，根据相关消息透露，目前ASML已经完成了相关测试，已经在初步完成了对于NXE：5000系列高NA EUV曝光系统的基本设计了，目前还在不断的完善技术，据悉在2022年就能够实现最终的商业化进程。

搭载ASML公司最新技术的光刻机，将会成为未来芯片制造的新风向标，这也是台积电和三星目前所需求的，虽然三星在3nm的工艺上也取得了很大的成就，搭载三星5nm工艺的高通骁龙888芯片，目前也已经正式商用了，但这远远不够，显然在更为高端的芯片制造工艺上，台积电再一次领先了。

任何技术的研发都需要一个过程，从理论成立到最终的实验论证，有可能需要耗费大量的时间，我们需要有足够的耐心，也相信台积电可以做的更好，在技术完全自主化之后，就不会再受到相关限制的影响了，可以和华为展开更多的合作了，对此你们有什么看法呢？